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IRF8915TR

功能描述：MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC

RoHS：否

类别：分离式半导体产品 >> FET - 阵列

系列：HEXFET®

产品目录绘图：8-SOIC Mosfet Package

标准包装：1

系列：-

FET 型：2 个 N 沟道（双）

FET 特点：逻辑电平门

漏极至源极电压(Vdss)：60V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：3A

开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：75 毫欧 @ 4.6A，10V

Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA

闸电荷(Qg) @ Vgs：20nC @ 10V

输入电容 (Ciss) @ Vds：-

功率 - 最大：1.4W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PowerPAK? SO-8

供应商设备封装：PowerPAK? SO-8

包装：Digi-Reel®

产品目录页面：1664 (CN2011-ZH PDF)

其它名称：SI7948DP-T1-GE3DKR

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